GaN MOCVD
BrillMO系列金属有机化合物化学气相沉积镀膜系统适用于6英寸和8英寸功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的温场和流场设计,具有成膜质量高,产能高,使用成本低等优势,为GaN外延加工提供完备的解决方案。
技术特点
工艺需求
8英寸晶圆(兼容6英寸晶圆)MOCVD外延设备,适用于均匀性、颗粒度要求较高的工艺需求
独家专利
独家专利的自公转基座和喷嘴技术,保证沉积的速率和均匀性
独立运行的外延腔室
可同时搭载2个独立运行的外延腔室
知识产权
正向研发、拥有自主可控的知识产权
自清洁功能
集成自清洁功能,极大的降低COO
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