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SiC Epi外延设备
BriSCore系列化学气相沉积镀膜系统采用创新的批量式腔体设计,可同时加工15片6英寸晶圆,适用于6英寸和8英寸碳化硅功率芯片的外延制造,具有产能表现优异,使用成本低等优势,为SiC外延加工提供优质的、有竞争力的量产解决方案。
技术特点
适用于6”&8”的全自动碳化硅外延生长设备
独特的进气与加热方式;优异的温场及流场表现
精准实时的机台状态监控,工艺稳定性高
可实现低成本、高质量、高产出的外延生产;目前市场上最高的单机产能,整体性能优异
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