SiC Epi外延设备-先为科技

技术特点

8英寸碳化硅（兼容6英寸）外延设备，可满足高均匀性、低缺陷密度的工艺生产需求

独特的进气与加热方式;优异的温场及流场表现

温度控制精确，且具有优异的温度均匀性

气流场均匀，多区分区进气结构利用工艺调试

自动化程度高，可有效提高产能和生产稳定性

维护占地面积小，且维护便捷性高

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其它定制开发设备

公司以现有技术为基础，不断集聚半导体优秀人才，围绕国产化替代的战略需求，结合化合物领域最前沿的技术发展趋势和市场需求，

为客户提供合作开发的服务，从而为客户提供全方位的解决方案。