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GaN MOCVD

BrillMO系列金属有机化合物化学气相沉积镀膜系统适用于6英寸和8英寸功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的温场和流场设计，具有成膜质量高，产能高，使用成本低等优势，为GaN外延加工提供完备的解决方案。

SiC Epi外延设备

BriSCore系列化学气相沉积镀膜系统采用创新的批量式腔体设计，可同时加工15片6英寸晶圆，适用于6英寸和8英寸碳化硅功率芯片的外延制造，具有产能表现优异,使用成本低等优势,为SiC外延加工提供优质的、有竞争力的量产解决方案。

其它定制开发设备

公司以现有技术为基础，不断集聚半导体优秀人才，围绕国产化替代的战略需求，结合化合物领域最前沿的技术发展趋势和市场需求，为客户提供合作开发的服务，从而为客户提供全方位的解决方案。

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