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GaN MOCVD
BrillMO系列金属有机化学气相沉积外延设备适用于6英寸和8英寸功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的温场和流场设计,具有成膜质量高,产能高,使用成本低等优势,为GaN外延加工提供完备的解决方案。
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ATM MOCVD
EliteMO系列适用于GaN LD、绿光到紫外LED,GaN电子器件、GaN基新结构材料、Ga2O3外延及AIN外延生长,提供多元多组分、n/p型等多种材料外延生长解决方案,赋能先进材料的外延研发与制造。
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SiC Epi外延设备
BriSC系列化学气相沉积外延设备适用于8英寸兼容6英寸的碳化硅功率芯片的外延制造。具有产能表现优异,使用成本低、外延质量稳定等优势,为SiC外延加工提供优质的量产解决方案,助力SiC功率芯片实现降本增效。
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公司以现有技术为基础,不断集聚半导体优秀人才,围绕国产化替代的战略需求,结合化合物领域最前沿的技术发展趋势和市场需求,为客户提供合作开发的服务,从而为客户提供全方位的解决方案。
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