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GaN MOCVD

BrillMO系列金属有机化学气相沉积外延设备适用于6英寸和8英寸功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用特有的温场和流场设计，具有成膜质量高，产能高，使用成本低等优势，为GaN外延加工提供完备的解决方案。

ATM MOCVD

EliteMO系列适用于GaN LD、绿光到紫外LED，GaN电子器件、GaN基新结构材料、Ga2O3外延及AIN外延生长，提供多元多组分、n/p型等多种材料外延生长解决方案，赋能先进材料的外延研发与制造。

SiC Epi外延设备

BriSC系列化学气相沉积外延设备适用于8英寸兼容6英寸的碳化硅功率芯片的外延制造。具有产能表现优异，使用成本低、外延质量稳定等优势，为SiC外延加工提供优质的量产解决方案，助力SiC功率芯片实现降本增效。

其它定制开发设备

公司以现有技术为基础，不断集聚半导体优秀人才，围绕国产化替代的战略需求，结合化合物领域最前沿的技术发展趋势和市场需求，为客户提供合作开发的服务，从而为客户提供全方位的解决方案。