2024年6月26-28日，第六届深圳国际半导体技术暨应用博览会（SEMI-e 2024）在深圳国际会展中心盛大召开。作为国内领先的化合物外延设备制造商，先为科技携BrillMO GaN MOCVD和BriSCore SiC Epi等两款产品亮相8E22号展位，吸引了国内外嘉宾与媒体的广泛关注。

本届SEMI-e大会以“芯中有算，智享未来”为主题，开设“3馆10区”，展会规模超60000㎡，产业链上下游800+企业共同参与，吸引60000+国外内观众到场参观。近百位行业院士与企业代表汇聚一堂，解码行业前沿思维，加速科研成果转换落地，推动中国半导体产业高质量发展。

此次参展，先为科技的BrillMO GaN MOCVD和BriSCore SiC Epi两款产品，吸引了众多海内外观众的目光。业界专业人士及合作伙伴纷至踏来，在展台上探讨技术与设备应用场景。备受关注的“BrillMO GaN MOCVD”产品，适用于6英寸和8英寸功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造。利用其特有的温场和流场设计，具有成膜质量高、产能高、使用成本低等优势，为GaN外延加工提供完备的解决方案。

另一款设备“BriSCore SiC Epi”也多维度展现了先为的差异化大产能方案，这款设备采用创新的批量式腔体设计，同时兼容6英寸和8英寸碳化硅功率芯片的外延制造。BriSCore具有产能表现优异、使用成本低等优势，为SiC外延加工提供量产解决方案，助力碳化硅功率芯片实现降本增效。

自成立以来，先为科技始终致力于化合物半导体外延设备的创新研发，推动化合物半导体产业链的国产化进程，为客户提供高端化合物半导体外延设备与服务。未来，先为将坚持创新驱动，秉承技术引领与自主创新的发展理念，强化产业链上下游合作，以产品升级和技术创新助力行业的高质量发展。